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一位诺贝尔经济学奖得主曾感慨,如果大多数中国人因为从事挑战性工作和创新事业获得成就感,结果一定会非常美好。创新具有强大的溢出效应。在大众创业、万众创新的浪潮中,每一点改进、每一步探索,往往能回应老百姓对美好生活的现实需要,甚至由量变引发质变,重塑整个国家的综合国力和竞争力。在这个意义上,“双创”的4年仅仅是一个开端,未来还需更多努力。

再来看另一个故事,这次的主角是美国政府和企业。上世纪90年代,生产芯片的光刻技术在193nm(纳米)制程上遭遇瓶颈。当时的行业巨头尼康和ASML分头实行了技术方向不同的产品创新。最终,ASML在工程上稍作改动轻松突破瓶颈,完胜尼康。与此同时,美国半导体巨头英特尔公司另辟蹊径,探索新的光刻技术——极紫外光刻技术(EUV)。英特尔与美国能源部牵头,发起了EUVLLC联盟,集合摩托罗拉、AMD等行业巨头与美国三大国际实验室的几百名科学家,共同研究EUV技术。ASML因为有美国资本背景,被纳入联盟,尼康则被排除在外。从1997年到2003年,研究联盟的科学家们发表了众多学术论文,验证了EUV光刻机的可行性。有意思的是,将EUV推向市场的不是研究发起者Intel,而是荷兰的ASML。2015年可量产的EUV光刻机下线后,ASML进一步巩固其光刻机行业龙头地位。

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